?PECVD中RF 和VHF哪個(gè)更好
發(fā)布時(shí)間:2020-12-07 點(diǎn)擊次數(shù):5723
氣體分子在外加射頻場下被電離成對應(yīng)的等離子體,按照射頻施加頻率的不同,可分為 RF-PECVD 和 VHF-PECVD 兩種,其中 RF-PECVD 的頻率一般為 13.56MHz,VHF-PECVD 的頻率一般在 30-300MHz 之間。由于射頻頻率與電 子和氣體分子的碰撞幾率成正相關(guān)關(guān)系,一定范圍內(nèi)升高射頻頻率,反應(yīng)氣體的分解速率將加快,短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生大 量反應(yīng)活性基團(tuán),可提升薄膜的沉積速率;另一方面,高頻場下腔室內(nèi)的電子濃度增加、反應(yīng)溫度和直流自偏壓降 低,能夠減小等離子體的離化程度以及轟擊效應(yīng),且有利于生成更多的反應(yīng)前驅(qū)物,保證了薄膜優(yōu)質(zhì)生長,薄膜缺更少、致密性更佳、電導(dǎo)率更高。但是高頻場極易導(dǎo)致更多非均勻源的出現(xiàn),從而引發(fā)駐波、奇點(diǎn)等效應(yīng),膜面容易脫落或出現(xiàn)條紋,使得薄膜的均 勻性變差;此外,由于甚高頻下薄膜的沉積速率會(huì)大大增加,不利于沉積過程中對薄膜厚度的精準(zhǔn)控制,同時(shí)薄膜 厚度的增加也會(huì)導(dǎo)致透光率的降低。
RF 鍍膜均勻性好,VHF 高沉積速率提升產(chǎn)能
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