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大型半導(dǎo)體硅單晶用熱場，主要指半導(dǎo)體用途8英寸到12英寸的硅單晶棒生長使用的熱場，主要的對比對象是太陽能用途的硅單晶熱場和小尺寸半導(dǎo)體用途的硅單晶熱場。
首先是工藝的差異，大規(guī)格半導(dǎo)體硅單晶的生長工藝更加復(fù)雜：
1、對于熱場的純度要求更高，熱場里面的雜質(zhì)會影響到晶棒的生長，導(dǎo)致各種問題。
2、對于熱場的均勻性要求更高，包括各個物理特性在不同位置的一致性。
3、對于熱場的穩(wěn)定性要求更高，產(chǎn)品在使用過程中，如在壽命的前期、中期到末期，需要性能保持一致，不同批次的產(chǎn)品，性能也需要保持一致。
其次是設(shè)備的差異，大規(guī)格半導(dǎo)體硅單晶生長使用的設(shè)備，爐腔空間比較大。
這樣熱量的損失會比較大，對保溫性能要求也就更高。
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